eiferxia的个人空间

eiferxia：我想这就是问题所在了。旧的半导体工艺制造的MOS大功率晶体管较适合于线性功放电路。而新的MOS大功率晶体管半导体工艺则对其雪崩模式进行了优化。为了减少成本，有的甚至缩小的硅片面积。这就应该是我那线性MOS大功率放大器新MOS大功率晶体管失效的原因。 多谢！(2002-12-15 03:53)

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BaoFu：avalanche mode就是雪崩模式,最早是从普通的大功率晶体管中挑选一些雪崩特性好的管子来用,后来出现了经过特殊制造的,专门用于雪崩模式的管子,在限定条件之内(主要是工作电流)是可以长期工作于雪崩模式之下的,管子处于雪崩状态时,其电阻很小,等效于开关接通.恢复为常态后,又相...(2002-12-14 21:22)

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eiferxia：好像是有个雪崩工作模式，请看下文：（摘自Fairchild的spec.） FQD5N30 / FQU5N30 300V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power ...(2002-12-13 11:10)

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BaoFu：雪崩击穿是指当PN结所加的反向电压高于其所能承受的电压时,发生的击穿,如果发生雪崩击穿的时候,总的电流很小很小,那么,这种情况下PN结一般不会损坏.也就是可回复的.无线电杂志前几年确实提供过一些利用雪崩击穿特性工作的特殊电路.如果击穿时电流较大,则PN结的就是不可回复的.你说的M...(2002-12-09 12:07)

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znsoft：记得以前在无线电上看过: 不过是普通三级管 当电流得到一到量后会急增加，这就是所谓的雪塌效应。不过专用的雪塌管会在电流一定时关断吧？ 记不得了，普通管就会烧掉.. 不对之处请指正(2002-12-09 11:24)

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