-
本人想用一个MOSFET设计一个电源开关（不是开关电源）。控制逻辑接在G端，电源输入接在S端，输出接在D端。当控制逻辑为0或悬空时（控制芯片没有工作，系统没有工作），输出端没有电压和电流，即MOSFET处于截止状态。当控制逻辑为1时，输出端电压等于输入端电压，即MOSFET处于导...全文
◆
◆
-
zhanghuhu：谢谢！ 还有问题请教： 1、在做电源开关是，控制逻辑电压不可能大于电源电压，即 VGS只能小于等于0，这是该选什么样的MOSFET。是不是耗尽型MOSFET？ 2、当控制逻辑为1时，此时VGS等于0，开关管导通，可是VDS等于多少呢？（把电源...(2003-06-08 22:59)
-
wolffy：我看你这种方式还是控制电源地吧，否则很麻烦。 MOS管通的时候，VDS大约等于0，因为导通电阻很小。(2003-06-04 11:40)
-
imagewxg：谢谢！ 还有问题请教： 1、在做电源开关是，控制逻辑电压不可能大于电源电压，即 VGS只能小于等于0，这是该选什么样的MOSFET。是不是耗尽型MOSFET？ 2、当控制逻辑为1时，此时VGS等于0，开关管导通，可是VDS等于多少呢？（把电源...(2003-05-29 11:54)
-
wolffy：用N型，看看你控制的电流和电压，到IR选个相应的器件，一般的MOSFET,VGS在10－20之间最佳，如果你想用逻辑电平控制（不想升压的话），就要选Logic Level Drive的器件。 控制电平接G，控制电源地的通断。(2003-05-27 14:08)
