关于68013访问ASRAM的时间问题，请大侠指点。谢谢！！

        我使用68013控制外部ASRAM，通过捕捉波形发现，连续地对ASRAM读写，一次读写需要大概2.8us，而读写操作本身只需要不到100ns（我的时钟是24MHz），两次读写的间隔将近2.7us，也就是说，读写时，扣除掉地址调整的指令时间，硬件基本都是处于非有效操作的空闲状态。CKCON的低三位MD0~MD2（STRETCH功能）我也设置为0了。
        读写程序片段如下：
   *addr_wr = EP0BUF[1];
       addr_wr++;
       *addr_wr = EP0BUF[2];
      addr_wr++;
      不知道有没有办法，可以缩短读写指令之间的间隔时间？也就是缩短EP0BUF[1]到EP0BUF[2]之间的间隔？比如，可否缩到1us？
  请大侠指点，谢谢！！

没有那位高手遇到过类似问题吗？