100分请教u盘flash闪存读写问题！

正在做u盘，对三星flash读写操作遇到困惑，不知谁做过u盘的，能否给处读写子程序？（100分）

我说的片选是指A15、A14合成后作为rd、wr片选的合成，因为平时mcu的wr和rd有很多的信号，这样flash能收到正确的读写信号吗！
这个电路我以前用过的，肯定不会有错的！

我的cpu是没法改了，想知道为什么要用RD、WR与片选信号相或之后再与flash的RE、WE相连呢？这样是总线方式吗？另外我想知道是怎么解决5v和3.3v之间的逻辑电平转换问题。听说用74LVC245还是哪个芯片，谁能说说看

你的电路的确有错！你应该用一个io pin控制/CS，将/wr、/rd与A15、A14合成后的/ce相或再分别去控制flash的/wr、/rd!

 P?.? -> flash /CE
P?.? -> flash ALE
P?.? -> flash CLE
P?.? -> flash R/B

MCU /RD -> \"+\"     | -> FLASH /RE
MCU /WR -> \"+\"     | -> FLASH /WE
MCU ADDR A15/A14   +

另外现在大家都用3.3V的mcu，所以没有这方面的问题！

我的MCU用的是89c55，所以好不容易找到一个电压为5v的flash，如果用容量大一点的电压都是3.3v的，电平匹配（5v <---> 3.3v）是个难题，不知诸位是怎么解决的？

现在已经可以实现RAM中的u盘了！
可惜闪存读写还是不行，郁闷呢！关键是flash地址不知道是怎么确定的（总线方式），如果用I/O口方式的话，延时是怎么控制的？还有就是对P0口赋值是总是无效，P0口总为低电平。

你用的是老的型号，其新的是K9F3208W0A，有改进。但似乎也快停产了。还是用容量大点的吧，K9F6408U0C，价钱还要便宜。只是要注意08是3-5V的，其他的是低电压的3.3V或更低。

0x???? -> read/write
P?.? -> flash /CE
P?.? -> flash ALE
P?.? -> flash CLE
P?.? -> flash R/B

MCU /RD -> \"+\"     | -> FLASH /RE
MCU /WR -> \"+\"     | -> FLASH /WE
MCU ADDR A15/A14   +

:)

s_7710:
   能给出你的flash－mcu连接电路图吗？我实在是没办法了！唉！

s_7710:
   你的ce怎么没有选通呢，是不是接地了？
还有你的地址[0x8000]是怎么确定的？

   因为我用的是 8Mbyte 的 Flash，所以可以从P2.7加个非门接到Flash 的 /CE。其实你的电路图只要加一个二输入与门就可以啦，
输入端：  I/O（P3.5） 口和 Flash 的片选线
输出端：  Flash的/CE

在读写Flash时 P3.5 为低，其它操作时必须为高！  

我现在已经把CE直接接到P3.5上，读写操作时是一直选通的。可是写的数据，读出来有些是对的，有些是错误的。写的时候，是写528个字节，还是512个字节呢？后面16个字节有什么特殊功能？我现在还搞不清楚。

你搜索一下我以前回的帖子，里面有讲过这16字节的含义和用法！

已经给s_7710 和 NewTech 各加50分，希望以后多多帮忙！

s_7710:
   你的ce怎么没有选通呢，是不是接地了？
还有你的地址[0x8000]是怎么确定的？

可能是你的程序有问题，看看下面的程序，希望能对你有所帮助！
若你要对Block进行写之前，必须要擦除该Block！

＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃
//===============================SMC_READ_LSA_LEN===========================================//

void SMC_Read_LSA_Len(U16 PSA,U16 startoffset,U16 len)
{
  U16 count;  
    Command_Latch_Enabled;                          //CLE=1
    if(startoffset<256)
    {
        IOregister_Write(0x8000,0x00);                //read \"A\" area command
    }
    else if(startoffset<512)
    {
   IOregister_Write(0x8000,0x01);           //read \"B\" area command
   startoffset=startoffset-256;
    }
    else if(startoffset<528)
    {
   IOregister_Write(0x8000,0x50);          //read \"C\" area command
   startoffset=startoffset-512;
    }
    Command_Latch_Disabled;                       //CLE=0
    Address_Latch_Enabled;                        //ALE=1
    //send address
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)(startoffset&0xff));
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)(PSA&0xff));
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)((PSA>>8)&0xff));
    Address_Latch_Disabled;                        //ALE=0
    while ();        //wait flash memory ready
    //read data from flash memory
    for(count=0;count<len;count++)
    {dataBuf[count]=XBYTE[0x8000];}
  
   //end read flash data  
}

//=========================SMC_Write_LSA_Len==================================//

void SMC_Write_LSA_Len(U16 PSA,U16 startoffset,U16 len)
{
U16 count;
U8  state;
    
    Command_Latch_Enabled;                        //CLE=1
    if(startoffset<256)
{
IOregister_Write(0x8000,0x50);              // program \"A\" area
        IOregister_Write(0x8000,0x00);
}
    else
if(startoffset<512)
{
IOregister_Write(0x8000,0x00);              // program \"B\" area
            IOregister_Write(0x8000,0x01);
       startoffset=startoffset-256;
}
     else
if(startoffset<528)
{
IOregister_Write(0x8000,0x00);              // program \"C\" area
            IOregister_Write(0x8000,0x50);
       startoffset=startoffset-512;
}

    IOregister_Write(0x8000,0x80);
    Command_Latch_Disabled;                             //CLE=0
    //address
    Address_Latch_Enabled;                              //ALE=1
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)startoffset);
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)(PSA&0xff));
    IOregister_Write(0x8000,(BYTE)((PSA>>8)&0xff));
    Address_Latch_Disabled;                             //ALE=0
    //write data
    for(count=0;count<len;count++)
    {IOregister_Write(0x8000,dataBuf[count]);}     //here must add \"{}\"  because IOregister_Write is defined
    Command_Latch_Enabled;                         //CLE=1
    IOregister_Write(0x8000,0x10);                 //write page program command 0x10
    while (Ready==0);        //wait SMC not busy
    IOregister_Write(0x8000,0x70);                 //write read status command 0x70
    Command_Latch_Disabled;                        //CLE=0
    state= XBYTE[0x8000];                          //read status
    //end write data
}


//=========================SMC_Erase_One_Block_PSA(PSA)=============================//

bit SMC_Erase_One_Block(U16 PSA)
{U8 state;
     Command_Latch_Enabled;                         //CLE=1
     IOregister_Write(0x8000,0x60);                  //erase command=0x60
Command_Latch_Disabled;                     //CLE=0
//address
Address_Latch_Enabled;                         //ALE=1
     IOregister_Write(0x8000,(BYTE)(PSA&0xff));
     IOregister_Write(0x8000,(BYTE)((PSA>>8)&0xff));    
     Address_Latch_Disabled;                         //ALE=0
     Command_Latch_Enabled;                          //CLE=1
IOregister_Write(0x8000,0xd0);                 //erase command
Command_Latch_Disabled;                        //CLE=0
while(Ready==0);
Command_Latch_Enabled;                        //CLE=1
IOregister_Write(0x8000,0x70);                //read state
Command_Latch_Disabled;                    //CLE=0
state=XBYTE[0x8000];                    //status output
if(state&0x01)    
     {
     return (state & 0x01);
     }                            
    
}

我现在已经把CE直接接到P3.5上，读写操作时是一直选通的。可是写的数据，读出来有些是对的，有些是错误的。写的时候，是写528个字节，还是512个字节呢？后面16个字节有什么特殊功能？我现在还搞不清楚。

SM_CMD=1;
KM29WDATA=0xd0;在读、写时 CS 为低电平
SM_CMD=0;

while(SM_RDY==0);读Ready信号时，CS是高电平。

SM_CMD=1;
KM29WDATA=0x70;在读、写时 CS 为低电平
SM_CMD=0;

因为你是用地址译码的方式来读写Nand Flash，所以只有在你对该地址进行操作时 CS 才会是低电平，其它情况都会为高！把 CS 用 IO口来选，应该就会 OK ！还要注意，在初始化 MCU 时必须把Nand Flash的 ALE、CLE pin清零才能保证正确！

其实就是小于8M时，不论读写都要求cs始终为低电平，但是其他的就可以在需要的时候为低就行了!

s_7710：
   能详细说一下两者的区别吗？

不是很明白，cs不是一直都是低电平吗？

KM29W32000AT 在读、写、擦除时，要求 R/B 为低时 CS 信号必须为低，否则就会出错。但 Nand Flash 的容量大于或等于 8Mbyte 时就不存在这个问题，具体你可以把它们的时序仔细对比一下就知道啦！这是我刚刚做完的，用w77e32一次写7片Nand Flash！