请教flash的读写

看了frank的文档，还是对flash的读写算法还是不太清楚，哪位大虾帮帮忙吧，主要有几个问题：
1.flash每个page有528Byte，但是定义文件系统的时候每扇区512Byte，那是不是读写flash的时候都把后面的16Byte跳掉？
2.创建和删除文件时，要修改fat等区，这是主机控制的吗？还是要自己写固件程序实现？
3.写flash前必须erase一个block，加上我的板子缓存只有16k，那是不是说我必须用专门的一个block来保存要erase的block，然后再写

原来是这样，多谢指点

evilangelo：
你得明白族得概念啊。。。仔细看看FAT16得资料。
HOST是按照族去写文件得。如果你一族是一个BLOCK，或者就是64页，那么即便文件只有1个字节，他仍然占用一族，也就是一个BLOCK

不好意思，还是不太明白。
比如，如果我新建的文件大小只有10个page就够了，而我设定的一个block是64个page，那host怎么会发64倍速page的数据让flash写呢？

chenchi1982:
你还是得好好看看资料。50H的确是读写C区得。但是屏蔽C区的不是这条指令。。。你好好看看引脚图，有个脚（好像是R什么的），那脚为高后，当你执行00H,01H，指令时，到了第511个BYTE时候就会自动切换到下一页，如果为低，则会继续读写C区
evilangelo：
对于BLOCK的操作是由HOST管理的，他让你干什么你就干什么。如果你的族大小就是一个BLOCK，那么HOST就会按BLOCK给你传数据。比如
你一个BLOCK是16PAGE，那么HOST让你写的页数必然也是16的倍数。而且起点也就是一个BLOCK的起点。当然前提是你的数据区也是在一个BLOCK（比如第10个BLOCK开始）

/*第三问：如果你的镞大小和BLOCK一样，那么对于数据区可以放心擦除，而对于FAT和DIR就不行，原因见第二问。*/

再问一下，对于数据区可以放心擦除吗？？
可是一次erase就是一个block，万一我只是要写某个block里的前几个page，那不是后面page的数据都丢失了？

数据手册上是这样写的啊
the 50h command is valid only when the GND input(pin #6)is low level.
50h command 是对后16BYTE的操作
我现在也是在程序中控制，但还是想知道怎样去改，请指教：）
谢谢

我用的好象不是GND脚吧。你再仔细看看资料。。。
再说东芝的跟三星很类似，价格低点，所以就做成兼容的。因此三星的那个屏蔽功能没用。

第一问：看什么牌子的FLASH，三星的有个脚高的时候可以直接跳过。而东芝的则需要在软件中屏蔽。

我的FLASH芯片是三星的K9F5608U0A－YIB0
MCU是AT908515
屏蔽多余16BYTE的脚是GND，我怎样将GND置高，默认好像为低

第一问：看什么牌子的FLASH，三星的有个脚高的时候可以直接跳过。而东芝的则需要在软件中屏蔽。
第二问：是由HOST控制的。但是还是要注意内容保护的问题。而不是
一概写前就擦除。特别是FAT和DIR区，HOST一般只会发需要修改的页的内容，如果这时候你写前擦除的话，就会把以前的内容冲掉
第三问：如果你的镞大小和BLOCK一样，那么对于数据区可以放心擦除，而对于FAT和DIR就不行，原因见第二问。
当然也可以有些特别的算法，可以不用保存的。这些算法基于地址映射的原理。你可以参考一下。因为对于快速的MCU，和有比较大的RAM保存花不了时间。而MCU速度慢的话，就尽量采用特殊算法。尽量避免FLASH内的数据搬运。