问一下有关samsung NandFlash的问题

（The device is programmed basically on a page basis。）
根据时序图，它的Program过程为先送Program命令再送Column地址，再送Row地址，也就是可以对一个Page中指定的地址开始进行编程（因为要送Column）。 请问是不是这样？
如果是，那么对于16位的NandFlash可以用8位表示一个Page中的256个字，但是对于8位器件8位只能表示256字节，又怎么从一个page中的AREA2中的某个地址开始写呢，是不是用Read2命令来置位呢？
由于现在还没有买器件无法做实验，所以请知道的告知。