请问：nand flash的读写速度在什么情况下不稳定

大家好，
我在做U盘存储控制器的开发，采用的arm9＋linux开发Usb主控器，
在应用程序层面，我将数据使用write＋fsync写入U盘（sandisk），
但是经过测试发现，一般来说每次存200字节的数据只需几ms，但是有时会出现将近200ms的问题，
检测USB总线的信号 发现主要是由于这段时间，U盘没有准备好接受（发送）数据因此一直回nak，而我这边的hc在一直重发所致。
因此，我判断是当每次写入200字节并且是强制写入U盘的时候，U盘写入速度不稳定（测试：每次存200字节共存储1亿字节会出现300多次超过150ms的现象），但是当我以每次写入1024字节时，U盘写入速度会相对稳定许多（测试：每次存1024字节共存储1亿字节会出现2-3次超过150ms的现象）。
后发现凡是不是以1024倍数写入的话都会有此问题。请问这是为什么，nandflsh会出现写入速度不稳定的情况吗，那近200ms的时间究竟是怎么出现的呢，是不是当flash的读写数据块不是整page的话，速度就会受到很大影响呢
 请大家不吝赐教。

NAND FLASH的读写操作能以非page方式进行吗
比如1page＝512字节，而每次读写不以512字节