ibis模型怎么用？

那位老大熟悉ibis模型？
给小弟说说 那些I/V曲线都是在什么环境下测试出来的？

多谢！

Mentor Graphics IBIS Model Development Flow Established as Standard for STMicroelectronics IC Buffer Libraries

参考：
http://www.mentor.com/press_releases/feb02/stmicro_ibis_pr.html

一般来说，IBIS有两种建立方式：一是测量的方法，还有一种就是基于Spice仿真。1. 测量的方法比较直接，而且不需要IC设计公司提供Spice模型，有利于保护知识产权。构建时一般测量每个管脚不同电压下的输入输出波形，比如从-1.2v~Vcc，或0~Vcc+1.2V，另外需要提供的有：管脚数目/名称，管脚功能（input/output/IO)，封装参数，阈值电压，时序测试，Vmeas，差分对，上拉，下拉特性等。 2.而第二种方法就是利用芯片设计公司提供的Spice模型进行仿真得到，包含的内容更齐全。我们知道，每个管脚的驱动能力是随着一些因素变化而变化的，比如一般情况下电压越高，温度越低，先进的工艺条件会增强驱动能力（双极型的则是高温导致驱动能力提高），所以在IBIS模型中驱动模式中有Max/typical/min三种选择。如果是测量的方法只能得到温度和电压的变化情况，却无法反映工艺条件的变化，而用Spice仿真就可以反映这种情况。

多谢zhaoyan 大虾。
那么，那些V/I曲线是在什么环境下测出来呢的？
我的意思是：
 比如测试 [pullup] 的V/I曲线。
    这个管脚的外部连接是什么？
    内部是什么样子的？
另外，这些曲线如何使用？
  [pullup] [pulldown]等曲线反映了芯片的什么性能呢？

IBIS模型主要描述的是数字IC器件端口特性，PULLUP和PULLDOWN主要是指端口内部的上拉和下拉特性；POWER_CLAMP和GND_CLAMP主要是指器件的高电位钳制和低电位钳制特性，它们主要通过二极管的导通和截止来实现的，多数是为了保护IC不受损坏。
厂家会在做IC的时候预先得到这些曲线的，再通过后期的实际测量进行矫正