全功能NAND Flash烧写器|NAND Flash烧录器|NAND Flash编程器

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描述：NANDFlashNANDFlash烧录器

图片：QQ截图1153.jpg

图片：comm.jpg

深圳市艾普电子科技有限公司NPR6000型NAND Flash烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具，它具有如下特征：
 
一 功能简介:
该款烧录器支持8MB(64Mbit)到128GB(1024Gbit)的NAND Flash的快速烧录,适合具有预装资料的车载导航电脑,高清播放机,高清机顶盒,蓝光DVD,硬盘录像机,网络摄像头,手持智能设备,学习机,数码相框,数码相机,游戏机,电子书,点读机,语音玩具,监控门禁类等产品在大规模生产中使用, CF卡,U盘,SD卡,固态硬盘等存储工具的Flash原始数据复制.
二 参数说明:
 1.采用一托四的结构设计,可以对四片NAND Flash同时进行烧录,烧录过程实时校验写入数据,绝对保证数据的正确,支持目前的多种软硬件平台对NAND Flash的管理方式；
 2.支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写,内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式,极大的提高烧录良品率;
 3.烧录速度快,512Byte小页面Flash速度约2MB/秒(带校验),2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约4MB/秒(带校验),2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2.8MB/秒(包含数据比对校验)。
 4.标配4.3寸超大真彩液晶屏,一切操作可视化,触摸屏及按键双操作,无需连接电脑,方便携带及实时观察烧录过程；
 5.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式:
(1)母片拷贝方式:用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash,之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
(2)文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或编程器内置硬盘,本方式读出文件内容按指定方式(可支持特殊文件系统)写入Flash;
 6.可灵活进行各种操作,如页读取、页、块内容比较、生成Flash映像文件、坏块扫描、擦除、数据区扫描分析等等多种操作：
    (1) 对母片拷贝方式,可设置特殊坏块标记,方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间,用户可选择拷贝有效数据区域,这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；
    (2) 可读取指定Flash任意页的内容显示,方便用户实时观察Flash上的数据分布；
    (3) 可独立擦除指定的Flash,可擦除指定的块区间,可独立扫描指定Flash的坏块,并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；
    (4) 可扫描Flash上的数据页或数据块,方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；
    (5) 可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容,并将不同之处显示于屏幕,并可顺序浏览每一处不同；
7.可根据用户的特殊要求快速修改软件,按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式),修改周期不超过3个工作日,且可定制特殊的文件系统的管理；  
三 支持列表:
1,SAMSUNG:  
K9F6408U0A,K9F2808U0A,K9F5608U0A,K9F5608U0B,K9F5608U0C,
K9F5608U0D,K9F1208U0A,K9F1208U0B,K9F1208U0C,K9F1208U0D,
K9T1G08U0M,K9F1G08U0A,K9F1G08U0B,K9F1G08U0C,K9F1G08U0D,
K9F2G08U0A,K9F2G08U0B,K9F2G08U0C,K9F2G08U0D,K9K2G08U0A,
K9F4G08U0A,K9K2G08U0B,K9F4G08U0B,K9G4G08U0A,K9K4G08U0A,
K9G4G08U0B,K9K4G08U0B,K9F8G08U0A,K9K8G08U0A,K9G8G08U0A,
K9F8G08U0B,K9K8G08U0B,K9G8G08U0B,K9WAG08U0A,K9GAG08U0M,
K9GAG08U0A,K9GAG08U0B,K9GAG08U0C,K9GAG08U0D,K9GAG08U0E,
K9GAG08U0F,K9GBG08U0*,K9LAG08U0*,K9W8G08U0*,K9LBG08U0*,
K9HCG08U1M,K9LCG08U1*,K9HDG08U5*,K9PFG08U5*,K5D1257ACC.....
2,HYNIX:
HY27US08281A,HY27US08561A,HY27US08121ATR,HY27U518S2CTR,HY27US081G1MTR,
HY27UF081G2ATR,HY27US081G2ATR,HY27U1G8F2BTR,H27U1G8F2CTR,HY27UF082G2BTR,
HY27S2G8F2CTR,H27UF084G2BTRTR,H27U4G8F2DTR,H27U4G8F2DTR,H27U4G8F2DTR,
H27U4G8F2E,H27U8G8G5D,H27QBG8GDA,H27QCG8HEA,H27U8G8T2B,H27UAG8T2M,H27UAG8T2ATR,
H27UAG8T2BTR,H27UBGU5A,H27UBG8T2ATR,H27UBG8T2BTR,H27UCGVFA,H27UCG8UDM,H27UCG8U5A/D,
H27UCG8GT2M,H27UDG8VEM,H27UBG8T2CTR,H27UCG8T2BTR,H27UCG8T2ATR,H27UEG8Y2BTR,
H27UDG8V2BTR,H27QCG8UDBTR,H27UCG8U2BTR,H27UBG8T2BTR,H27UAG8T2BTR,H27UEG8YEA,H27UDG8V5A,
HY27UVB081G2A,HY27UVB084G2A,HY27UVB084G1*,HY27UVB082G1*,HY27UF081G2*,HY27VB082G4*,HY27UA081G1*,
HY27UU088G5*,HY27UT084G2*,HY27UF084G2*,HY27UF088G*,HY27UU08AG2*,H27UAG8T2*,HY27UF088G*,HY27UBG8U*,HY27UBG8T2,....
3,TOSHIBA:  
TC58V64BFT*,TC58128*,TC58256*,TC58512FT*,TC58DVG02A1FT*,TC58NVG0S3*,TC58NVG0D3BTG*,TC58NVG0S3ETA*,
TC58NVG1S3ETA00*,TC58NVG1S3ETA*,TC58NVG1S3BFT*,TC58DVG14B1FT00*,TC58NVG1D4BTG00*,TC58NVG2D4BFT00*,
TH58NVG2S3BFT*,TC58NVG3S0ETA*,TC58NVG3D1DTG00*,TC58NVG3D1DTG00*,TH58NVG3D4BTG00*,TH58NVG3D4BTG01*,
TC58NVG4D1DTG00*,TH58NVG5D1DTG20*,TC58NVG4D2ETA00*,TC58NVG4D2FTA*,TC58NVG4D2FTA*,TH58NVG5D2ETA20*,
TH58NVG7D2ELA89*,TH58NVG4D4CTG00*,TH58NVG5D4CTG20*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D1DT*,TC58NVG5D1DTG00*,
TH58NVG6D2ETA*,TH58NVG7D2ELA*,TH58NVG8D2ELA*.....
4,ST:        
NAND128W3A2A*,NAND253W3ABN*,NAND512W3A2C*,NAND01GW3A*,NAND01GW3B*,NAND02GW3B*,NAND04GW3B2B*,
NAND04GW3C2A*,NAND04GW3B2D*,NAND08GW3B2C*,NAND16GW3D2A*,NAND32GW3D2A*..
5,MICRON:
MT29F1G08AB*,MT29F2G08AA*,MT29F2G08AAC*,MT29F2G08AAD*,MT29F4G08*,MT29F8G08MAA*,MT29F8G08AAA*,
MT29F8G08AB*,MT29F8G08AB*,MT29F16G08FAA*,MT29F16G08MAA*,MT29F32G08QAA*,MT29F16G08CBA*,MT29F16G08CBACA*,
MT29F16G08CBB*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CBABA*,29F64G08CJA*,29F128G08CJA*,MT29F4G08CF*,
MT29F4G08CF*,MT29F64G08CJ*,MT29F128G08CJ*,MT29F256G08CJ*,MT29F64G08CB*....
6,INTEL:    
JS29F02G08AANA2,JS29F04G08BANA2,JS29F08G08FANA2,JS29F02G08AANB3,JS29F04G08BANB3,JS29F08G08FANB3,
JS29F04G08AANB1,JS29F08G08CANB1,JS29F16G08FANB1...

7,MIRA:
P1UAGA30AT*,PASU1GA30HT*.....,
8,ESMT:
F59L4G81A,F59L2G81A.....,
9,Spansion:
S34ML01G1,S34ML01G2,S34ML02G1,S34ML04G1,S34ML08G1....
10,ATO:
AFND5608U1,MST8A08B16FMHF,AFND1G08U3...
11,MXIC:
MX30LF1208AA,MX30LF1G08AA...
12,LGA:
K9LCG08U1M,K9LCG08U1A,K9PFG08U5A,K9PFG08U5M,K9HDG08U5M,K9HDG08U5A,TH58NVG8D2ELA89,TH58NVG8D2FLA,
TH58NVG7D2ELA89,TH58NVG7D2FLA89,SanDisk_05000-016G,SanDisk_05105-032G....等等...
 
注：和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多，未能一一列出，艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。
 
四 :售后服务
         整机保修一年,软件更新只需发送文件用户自己可简单操作即可更新烧录器软件,长期不间断提供型号更新及更优化的烧写效率的更新软件。
   艾普科技将与您一起,共同努力解决NAND Flash应用上的所有烦扰问题！！！！
 
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Q Q：1304516037
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描述：烧录界面

图片：6000UI1.jpg

           

描述：NANDFlash烧录界面

图片：6000UI2.jpg

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

继续上图
 
附一点说明：
 
当用户采用的是本编程器的母片拷贝方式烧录Flash时，请务必先通过此界面的操作生成母片数据，启动此对话框时，程序默认检测烧录座SOCKET1上是否有Flash芯片存在；
一，本界面使用说明:
1，    当烧录座SOCKET1上有正确的Flash芯片存时，启动此对话框将会自动输出图4左上角信息框类似的对应的Flash信息；
2，     ：点击右方小箭头，选择你的母片所放置的烧录座，母片可放置于四个烧录座中的任何一个。选择生效的同时会自动检测你所指定的烧录座上的Flash芯片，如检测到正确的Flash芯片，自动输出图4左上角信息框类似的对应的Flash信息；如未检测到正确的Flash芯片，将会显示如”SOCKET1的Flash初始化失败，请检查!”类似的信息，此时你需要检查你的Flash芯片是否已经正确放置了；
3，     ：点击右方小箭头，设置你的母片坏块标记码，对大多数应用来讲，坏块标记方式一般和Flash芯片原厂的标记相同。如果你的母片使用了和Flash芯片原厂不同的标记码，可通过此选项重新设置，本编程器会根据你的设置来识别母片上的坏块。同样，在烧录空片时，也会以次来重新标记空片上的坏块；
4，     ：点击右方小箭头，设置你需要拷贝的数据在母片上的起始地址，此地址以块为单位。
5，     ：点击右方小箭头，设置你需要拷贝的数据块数量。当用户只需要母片上的部分数据时，可通过此选项和”起始拷贝块”选项灵活配置；本编程器根据此两个选项指定的区间拷贝母片内容，对于大多数Flash芯片应用来讲，都预留了不少空闲空间。通过此项设置可使编程器只拷贝有效数据区间，为之后的空片烧录时节约时间；
6，     ：点击右方小箭头，设置你母片上装载的操作系统。当你的母片装载了诸如wince，winmobile，linux，uclinux，vxworks等等这些操作系统时，请通过此选项选择对应的操作系统，本编程器会根据你选择的操作系统来分析可能的文件系统并备份部分信息做烧录空片时使用；
7，     ：当检测到正确的Flash芯片，点击此按钮会启动母片制作过程，在母片制作过程中，此按钮及上述几个选项卡会同时失效以防止用户误操作。母片制作完成之后，此界面会重新开放各类用户操作。如未检测到正确的Flash芯片，此按钮的文字会切换为”重新检测”字样，用户可在重新放置Flash芯片后再点击此按钮做重新检测，如此时检测到正确的Flash芯片，将会自动启动母片制作过程。
8，    当启动母片制作过程后，本对话框左下角的信息框将顺序显示母片数据读取过程中所检测到坏块地址，用户可据此连接母片的坏块分布情况；
 

图片：芯片扫描1.JPG

图片：文件方式配置界面2.JPG

图片：烧录设置1.JPG

图片：母片提取界面3.JPG

图片：母片方式烧写界面1.JPG

一、    产品特点
     量产拷贝，硬件系统集成4个独立通用编程站点于一体，各站点完全异步操作，就如同4台独立的通用编程器。每个站点自动感应芯片即插即写，没有同步等待时间，高速高效。对多数器件而言，不待最后站点芯片插入，第一站点已烧写完毕，因而生产效率甚至可以高于8座或16座量产编程器
      可靠烧录，采用独特管脚自动检测技术和引脚保护电路，配合电气性能优良的时序发生电路和完善的过流、过压保护电路，能消除拷贝机因环境或误操作的损害，在各种环境下有效保护拷贝机和被烧录芯片。系统所有输入,包括锁紧座、USB口、供电，都被保护,防止ESD上升到8KV。
     数据安全，采用创新的工程加密技术，将加密后的被编程数据存入内置电子盘，有效防止数据泄密。极速编程，采用第七代时序发生电路加上IC厂商认证算法，在高速CPU＋FPGA的架构下，使编程时间精确到ns级，达到速度颠峰
     脱机编程，每个站点可采用FLASH存储编程文件，无需连接电脑，方便携带到各种现场，使用灵活。并内置1GBYTE FLASH.
二.  支持的FLASH
         支持16MByte（128Mbit）到4GByte（8Gbit）的SLC和MLC的所有品牌NAND Flash.如三星,现代,东芝等!
三  适用环围
GPS导航仪MP4，PDA,数码相框.学生机和手机等



一 支持的FlaSh类型：TSOP（8BIT/3.3V),BGA

SAMSUNG:K9F2808W0A/B/C/M(0x73), K9F1208W0A/B/M(0x) ,K9F5608, K9F1G08 ,K9F2G08 ,K9F4G08, K9F8G08, K9WAG08 ,K9F5608WOC-YCBO K9F1208WOM-YCBO, K9F1G08WOM-YCBO, K9F6408W0C-TCB0, K9K1208, K9K1G08, K9K2G08, K9K4G08, K9K8G08 ,K9W8G08 ;

HYNIX:HY27WS08561M,HY27WS08121M ,HY27WA081G1M ,HY27WF081G1M,HY27WVb082G2M,HY27WVb082G4M,HY27WS08281M,1G2M/2G2M/4G2M/4G1M/2G1M HY27WVb081G2M,HY27WVb084G2M,HY27WVb084G1M,HY27WVb082G1M, HY27WF081G2M,HY27VB082G4M,HY27WA081G1M,HY27WW088G5M HY27Wt084G2M， HY27WF084G2M,HY27WF082G2M;


注：和这些Flash兼容的其他Flash也可使用


二 组件说明：
1. 电源开关
2. USB口
3. 串口
4. 选项开关：1-烧录；2-擦除；3-校验；其他-保留为以后功能扩展
5. 开始按钮：START-开始按钮；SW2、SW3-保留为以后功能扩展
6. 源（SOWRCE）Flash：用于存储待烧录的内容
7. 卡座：放置被烧录的（TARGET）Flash；或者放置存有要传送到SOWRCE FlaSh的内容的母片（ORG FlaSh）
联系方式: TEL 13927451105     0755-83239739  QQ 350835281地址:深圳市福田区新亚洲电子商城二期N2A093艾迪特电子有限公司

一、    产品特点
     量产拷贝，硬件系统集成4个独立通用编程站点于一体，各站点完全异步操作，就如同4台独立的通用编程器。每个站点自动感应芯片即插即写，没有同步等待时间，高速高效。对多数器件而言，不待最后站点芯片插入，第一站点已烧写完毕，因而生产效率甚至可以高于8座或16座量产编程器
      可靠烧录，采用独特管脚自动检测技术和引脚保护电路，配合电气性能优良的时序发生电路和完善的过流、过压保护电路，能消除拷贝机因环境或误操作的损害，在各种环境下有效保护拷贝机和被烧录芯片。系统所有输入,包括锁紧座、USB口、供电，都被保护,防止ESD上升到8KV。
     数据安全，采用创新的工程加密技术，将加密后的被编程数据存入内置电子盘，有效防止数据泄密。极速编程，采用第七代时序发生电路加上IC厂商认证算法，在高速CPU＋FPGA的架构下，使编程时间精确到ns级，达到速度颠峰
     脱机编程，每个站点可采用FLASH存储编程文件，无需连接电脑，方便携带到各种现场，使用灵活。并内置1GBYTE FLASH.
二.  支持的FLASH
         支持16MByte（128Mbit）到4GByte（8Gbit）的SLC和MLC的所有品牌NAND Flash.如三星,现代,东芝等!
三  适用环围
GPS导航仪MP4，PDA,数码相框.学生机和手机等



一 支持的FlaSh类型：TSOP（8BIT/3.3V),BGA

SAMSUNG:K9F2808W0A/B/C/M(0x73), K9F1208W0A/B/M(0x) ,K9F5608, K9F1G08 ,K9F2G08 ,K9F4G08, K9F8G08, K9WAG08 ,K9F5608WOC-YCBO K9F1208WOM-YCBO, K9F1G08WOM-YCBO, K9F6408W0C-TCB0, K9K1208, K9K1G08, K9K2G08, K9K4G08, K9K8G08 ,K9W8G08 ;

HYNIX:HY27WS08561M,HY27WS08121M ,HY27WA081G1M ,HY27WF081G1M,HY27WVb082G2M,HY27WVb082G4M,HY27WS08281M,1G2M/2G2M/4G2M/4G1M/2G1M HY27WVb081G2M,HY27WVb084G2M,HY27WVb084G1M,HY27WVb082G1M, HY27WF081G2M,HY27VB082G4M,HY27WA081G1M,HY27WW088G5M HY27Wt084G2M， HY27WF084G2M,HY27WF082G2M;


注：和这些Flash兼容的其他Flash也可使用


二 组件说明：
1. 电源开关
2. USB口
3. 串口
4. 选项开关：1-烧录；2-擦除；3-校验；其他-保留为以后功能扩展
5. 开始按钮：START-开始按钮；SW2、SW3-保留为以后功能扩展
6. 源（SOWRCE）Flash：用于存储待烧录的内容
7. 卡座：放置被烧录的（TARGET）Flash；或者放置存有要传送到SOWRCE FlaSh的内容的母片（ORG FlaSh）
联系方式: TEL 13927451105     0755-83239739  QQ 350835281地址:深圳市福田区新亚洲电子商城二期N2A093艾迪特电子有限公司

很快

很快的

一片不超过50秒钟

不超过50秒钟

？？？？

本界面包含将两个指定烧录座上Flash芯片指定块或指定页的内容读出比较，并显示将每一次不同的内容于屏幕，本界面启动时默认以SOCKET1为源芯片座来源，SOCKET2为目标芯片座来源。如对应的烧录座上检测到正确的Flash芯片，会将该Flash芯片的信息显示对应的信息框内。如未检测到正确的Flash芯片，相应的操作按钮将会失效以禁止用户输入。
一，本界面使用说明:
1， ：点击右下方小箭头，选择你要比较的Flash芯片所放置的烧录座，可放置于四个烧录座中的任何一个。选择生效的同时会自动检测你所指定的烧录座上的Flash芯片，如检测到正确的Flash芯片，自动输出图7左边信息框内容类似的对应的Flash信息；如未检测到正确的Flash芯片，将会显示如”SOCKET1的Flash初始化失败，请检查!”类似的信息，此时你需要检查你的Flash芯片是否已经正确放置了；
1， ：点击右下方小箭头，选择你要比较的目标Flash芯片所放置的烧录座，可放置于四个烧录座中的任何一个。选择生效的同时会自动检测你所指定的烧录座上的Flash芯片，如检测到正确的Flash芯片，自动输出图7左边信息框内容类似的对应的Flash信息；如未检测到正确的Flash芯片，将会显示如”SOCKET1的Flash初始化失败，请检查!”类似的信息，此时你需要检查你的Flash芯片是否已经正确放置了；
2， ：点击此按钮打开如图9所示地址输入对话框，正确输入你要作数据比较的源Flash芯片的块地址后，点击该对话框的”确认”按钮之后，之后会再次打开该对话框，输入你要作数据比较的目标Flash芯片的块地址后，点击该对话框的”确认”按钮。本编程器会将你选择的两个Flash芯片上的对应块地址内的数据读出并比较，并将不同处的起始地址之后的512个字节的内容显示于对应的信息框，信息框内每行的左边文字为地址，右边为该地址对应的数据，每行显示8个字节，用户可拖动滚动条浏览；
3， ：点击此按钮打开如图9所示地址输入对话框，正确输入你要作数据比较的源Flash芯片的页地址后，点击该对话框的”确认”按钮之后，之后会再次打开该对话框，输入你要作数据比较的目标Flash芯片的页地址后，点击该对话框的”确认”按钮。本编程器会将你选择的两个Flash芯片上的对应页地址内的数据读出并比较，并将不同处的起始地址之后的512个字节的内容显示于对应的信息框（如后续内容不足512字节，则只显示有效数据），信息框内每行的左边文字为地址，右边为该地址对应的数据，每行显示8个字节，用户可拖动滚动条浏览；
4， ：点击此按钮，本编程器会以当前不同处的下一处不同的起始地址开始的512个字节的内容显示于对应的信息框（如后续内容不足512字节，则只显示有效数据），用户可通过此顺序浏览你选择的两个Flash芯片区间内的每一次不同；

快沉了，顶一下

自己再顶一下

再顶

针对小批量生产，研发测试阶段，或者维修用户，可选用NPRO6381型，一次烧写两个

增加二座型图片
 

要多少钱一个啊

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