求教：关于nandflash的读写和寻址

cpu： 三星2440；系统：WinCE
对128M的 nandflash 的寻址，是按照一下的哪一种方式进行的呢？
页大小：2048bytes ，1block ＝ 64pages 1device=1024blocks
第一种： 2bytes的column address ，然后是1byte Page address，最后是2bytes 的 block address
第二种： 2bytes的column address,然后是 2bytes的page address

第一种寻址和第二种寻址中，发送的第三个直接应该会不一样的。按照datasheet上，是按照第二种方法寻址的即2字节列地址，2字节页地址；可是我在代码中看到的是按照第一种方法进行寻址的即2字节列地址，1字节页地址，然后是2字节的块地址。这两种方法寻址的字节数都不一样，到底那种是对的？程序可以正常运行，可是却不附合datasheet上的说明，高手帮忙解答一下，因为以后可能会转用其他型号的nandflash，所以还是要把这个问题搞清楚了。

另外：读写nandflash时,我们寻址后 即发送完NF_CMD(),NF_ADDR()...NF_ADDR(),NF_CMD()后,就可以读写cpu的数据寄存器了? 很多程序里面都是用一个for循环读写nandflash的,这样不会有问题吗? 我用的是三星的2440,按照cpu的datasheet上的说明,应该是NFSTAT寄存器的R/B位有发生变化了,才说明有数据读到cpu的寄存器或者成功写入nandflash了,那么如果直接在for循环里面读写nandflash而不去判断上一次读写是否已经成功,这样会不会有问题?还是说cpu读写nandflash的过程,比c程序的执行速度快的多,根本不用考虑这个问题?

看看上面的 zhengshijie大哥写的 2K大页面NAND FLASH的WINCE5.0/4.2下的驱动源码

源代码我下载了，正在看。我手上的这个eboot，也可以正确的格式化nandflash什么的，但是我看了nandflash的datasheet，感觉datasheet上说的和程序里面的实现不一样。