U盘制作

 

描述：FLASH

图片：111.jpg

大家好，我想使用AT89C51SND单片机和K9F1208U0M  FLSH芯片制作U盘。可是我不知道单片机对K9F1208U0M  FLSH芯片的WE和RE引脚怎么操作；I/O0-I/O7怎么作为地址和数据复用的。

WE
RE
应该是高电平有效的。不确定 你可以去看这个芯片的PDF。
至于端口复用
是根据不同脉冲来选择的 前一个脉冲的IO0-IO7是输入地址
然后锁存，后一个脉冲就可以传输数据

根据不同脉冲来选择的 前一个脉冲的IO0-IO7是输入地址
然后锁存，后一个脉冲就可以传输数据?
能不能举个例子？谢谢

详细资料

引 脚 功 能
 
I/O0～I/O 数据输入输出端，芯片未选中为高阻态
CLE 命令锁存使能
ALE 地址锁存使能
CE 芯片选择控制
RE 数据输出控制，有效时数据送到I/O总线上
WE 写I/O口控制，命令地址数据在上升沿锁存
WP 写保护
R/B 指示器件的状态，0为忙，1为闲。开漏输出
Vcc 电源端
Vss 地

①命令锁存使能（CLE），使输入的命令发送到命令寄存器。当变为高电平时，在WE上升沿命令通过I/O口锁存到命令寄存器。

②地址锁存使能（ALE），控制地址输入到片内的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被锁存的。

③片选使能（CE），用于器件的选择控制。在读操作、CE变为高电平时，器件返回到备用状态；然而，当器件在写操作或擦除操作过程中保持忙状态时，CE的变高将被忽略，不会返回到备用状态。

④写使能（WE），用于控制把命令、地址和数据在它的上升沿写入到I/O端口；而在读操作时必须保持高电平。

⑤读使能（RE），控制把数据放到I/O总线上，在它的下降沿tREA时间后数据有效；同时使用内部的列地址自动加1。

⑥I/O端口，用于命令、地址和数据的输入及读操作时的数据输出。当芯片未选中时，I/O口为高阻态。

⑦写保护（WP），禁止写操作和擦除操作。当它有效时，内部的高压生成器将会复位。

⑧准备/忙（R/B），反映当前器件的状态。低电平时，表示写操作或擦除操作以及随机读正进行中；当它变为高电平时，表示这些操作已经完成。它采用了开漏输出结构，在芯片未选中时不会保持高阻态。

K9F1208U0M的接口控制方法

K9F1208U0M在应用时必须通过外部微控制器来控制其内容的读写。

K9F1208U0M的数据总线与AT90S8515的数据口PA口相连，用单片机的地址高位引脚PC6作为K9F1208U0M的片选信号（CS）；PC5接K9F1208U0M的命令数据选择端（CMD/DATA），而PC4接K9F1208U0M的地址锁存允许端（ALE）。因此，对K0F1208U0M的访问就相当于访问地址分别为0xaf00、0x9f00、0x8f00的三个端口，分别对应K9F1208U0M的命令端口、地址端口、数据端口。因此，对于单片机而言，对K9F1208U0M的命令、地址和数据操作可通过不同的端口进行，简化了K9F1208U0M读写控制的难度。

读写操作流程


进行写操作时先要写入命令字80H，通知K9F1208U0M要进行写操作，然后顺序写入目的地地址和待写入的数据。应该注意的是，地址只需写入一次，便可以连续写入多个字节数据。地址指针的调整是由K9F1208U0M内部逻辑控制的，不用外部干预。写入操作是以页为单位（1～528字节）进行的，即每次连续写入能超过528个字节。这是由于K9F1208U0M的工作方式决定的：写入的数据先保存至Flash内部的页寄存器（528字节）中，然后再写入存储单元。数据写完之后还要给K9F1208U0M发出1个写操作指令10H，通知其将页寄存器中的数据写入存储单元，随后就应该对状态引脚进行查询。如果该引脚为低，表明此次写操作结束。最后的步骤是数据校验，如果采用了ECC校验模式，则此步骤可以省略。

其它操作如读操作、擦除操作等过程均与此类似，可参考相关的器件说明文档。限于篇，这里不再多述。