请教nandflash驱动，ce6下面

最近在ce6下面研究nandflash驱动，我参考了我之前在ce5下面做的nandflash驱动，具体函数之类的都是ce5下面可以使用的，只是参考了ce6下面TI的bsp里面的nandflash驱动修改了一下source文件里面的链接库，其它就没有做什么修改。
但是现在出现的问题是在read_sector的时候每次都是说ECC校验错误，而且前一次次拷贝在nandflash里面的文件之类第二次起来后也没有了。
大家知道是哪边出了问题呢？先谢谢大家了。

会不会是读写时序引起的?
理论上6.0驱动比5.0的速度要快点啊.

microsun大侠，可能不是时序的问题。
就是我在FMD_Init里面自己调用FMD_WriteSector，然后再调用FMD_ReadSector，比较2个数据Buffer是一样的，也没有ECC校验错误的产生。但是如果是OS调用FMD_ReadSector的话就会出现ECC校验错误，我也把那些数据打印出来，发现跟Write的数据还是有不同的。
这个说明了时序应该没有问题吧？还是其它什么问题造成的？
谢谢了。

有一种可能就是CE5和CE6对ECC的存放区不一样，一般来说在小页面（512字节）的FLASH上，ECC是放在512+8后面开始的区域的，所以，你可以重点看下，从FLASH读出的ECC和NAND FLASH控制器中ECC的寄存器的比较那部分的代码，比较一下。

回LS的大侠：
谢谢了。我感觉应该不是ECC存放区的问题，我这个是270，没有那个Nand Flash控制器。
应该这个ECC放在spare区哪边都行，因为硬件底层操作的时候，我写ECC在spare区哪边，读的时候就从存放ECC的那里读出来就可以了。
现在的问题其实不是ECC错误，而是我把OS调用FMD_read,FND_write时候的sector数据打印出来，发现读出来sector数据确实跟之前写进去的sector数据不是完全一样的，所以导致了ECC校验错误。
但是我自己在FMD_Init里面自己调用FMD_WriteSector,FMD_ReadSector的话，读出来的Sector数据就跟写进去的Sector数据是一样的，也没有报ECC校验错误。
所以这个就非常奇怪了。

我们也遇到过类似的问题,看看会不会是写了不至一遍??

microsun大侠，你说的写了不止一次是什么意思？同一个sector系统写了2次以上？还是...?

对,我们发现对于同一个SECTOR,ERASE以后,会出现写两次的情况,有的FLASH支持这种动作,但有些FLASH不支持.