flash的读写问题的讨论。

各位大哥，小弟现在用51＋d12＋flash做u盘，由于mcu的内部aux ram只有1024byte，所以在写flash时遇到了一个问题，现在请大家帮忙看看，给我们做u盘的小弟们一个提示什么的，谢谢了。
问题是这样的，由于NAND型的Flash有个特点，不可随机存取，擦除操作一次对16K的内容进行。所以，在U盘响应过程中，不可避免要对数据进行缓存。如果你的U盘方案中有较宽裕的RAM（超过16K），这个问题变得简单，只需要开一个16K的数组，把数据存到这16K中，最后再写入Flash即可。否则，在缓冲上面是要花一些功夫的。最基本的思路是用Flash的另外一个Block做缓冲空间。
   首先我采用了后一种方法，将接收到的数据写入flash的缓冲区，然后在把要写入的block中剩余的页写入缓冲区，然后擦除要写入的block，然后再将缓冲区的页写入目标快中，然后擦除缓冲区。这样有一个问题，就是数据在flash中搬来搬去，使得flash的写入速度很慢，主机一次发送最大页就是80（16进制），往往在你写flash时，主机认为你没有反映，就停止发送数据，然后发送reset包，写入工作也失败了。
    后来用了第二种方法，在51外部扩展了16k的sram，要写入的数据先写入sram，然后再从目标块中读出不写的页到sram，然后再擦除block，把sram中的内容写入b'lo'c'k，这样u盘可以正常读写了，但是速度很慢，只有2k。
    想问一问各位大哥，有没有什么办法，能提高一下速度呢？难道51＋d12做u盘的速度真的这么慢？

    但是我看到了dp9801和ic1114，他们是u盘专用的mcu，他们里面的ram也只有4k左右，那么在做u盘时，怎么去处理flash的写入呢？？