我想用磁盘阵列的方法提高FLASH的读写速度！！

作为一个学术研究的课题，本人需要采用大容量FLASH作为存储介质，但同时也对速度提出了要求。由于采用的是三星公司的K9K4GXXX0M――FLASH芯片，其只有8（16）个I/O端口，需要多个周期才能完成编程/擦除/读取操作，速度很慢，因此想借鉴磁盘阵列的方式对其操作，换句话说就是想对若干个FLASH的数据进行并行的读取或写入，但是具体到磁盘阵列的算法实现，我还没有解决，请问诸位，有没有对磁盘阵列算法比较了解或能够提供相关信息的，请多给予帮助，如果有兴趣也可以与本人讨论此技术话题。我的联系方式：cxx_will@yahoo.com.cn 电话13072860704，成都！再次感谢支持。

我的几点建议。供你参考。

1。软件要支持多线程，最好支持中断。否则要用轮询的方式。
2。以raid 0的方式把flash条带化(stripe),如同你有8个硬盘一样。
3。每一个flash对应一个flash线程，这个线程就是一个虚拟的硬盘，可以接受读写命令，并异步的对flash进行编程/擦除/读取操作。
4。创建一个监视线程，采样flash的状态，以唤醒相应的flash线程。
4。创建一个分发线程或中断处理程序，把接受的一个读写命令分割为1到8个读写命令，分别发给对应的flash线程。
5。创建一个收集线程，把1到8个数据块合为一块，发给需求方。

算法并不难，但涉及多线程，中断。编写，调试会很复杂。

建议看RAD BOOK
全E文的

很累

d :)

 :) :)ding